FGH40T65SP_F085: 650V、40A 场截止沟道 IGBT

FGH40T65SPD_F085 采用新型场截止第三代 IGBT 技术，为各种低导通和开关损耗的应用在高效运转提供最佳性能，同时提供 50 V 高阻断电压和强大的高电压切换可靠性。 同时，该部件还可并行运行条件下提供杰出性能。

特性

• 符合 AEC-Q101 标准
  
• 低饱和电压： V_CE(sat) = 1.85 V（典型值） @ I_C = 40 A
  
• 部件 100% 进行动态检测（备注一）
  
• 短路耐用性> 5 μs @ 25 oC
  
• 最高结温： T_J = 175 oC
  
• 快速开关
  
• 紧密的参数分布
  
• 正温度系数，易于并联运行
  
• 与快速软恢复极快速二极管共封装
  
• 符合RoHS标准