FJP2160D: ESBC™ 额定 NPN 硅晶体管

FJP2160D是一个低成本、高性能的功率开关，当它在以下应用的ESBC™配置中使用时可提供最佳的性能： 电源、电机驱动器、智能电网或点火开关。 功率开关可在高达1600V的电压和3A的电流下工作，同时提供出色的低导通电阻和极低的开关损耗。

ESBC™ 开关可轻松使用现成的电源控制器或驱动器进行驱动。 ESBC™ MOSFET是一个将低输入电容与快速开关整合在一起的低压、低成本的表面贴装器件，ESBC™ 配置可进一步实现所需的最小驱动功率，因为它不包含米勒电容。

FJP2160D因其具有方形的反向偏压安全工作区(RBSOA)和坚固的设计，因此它可提供一流的可靠性和广泛的工作范围。 该器件具有雪崩额定值，并且没有寄生晶体管，因此它不易于发生静态dv/dt故障。

特性

• 等效的低导通电阻
  
• 超快开关： 150KHz
  
• 平方RBSOA： 最高1600V
  
• 雪崩额定值
  
• 低驱动电容、无米勒电容（典型值12pF Cap @ 200 V）
  
• 低开关损失
  
• 可靠的HV开关： 因其具有高dv/dt瞬变能力，因此无误触发。