FQB12P20: P 沟道 QFET® MOSFET -200 V、-11.5 A、470 mΩ

该 P 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

特性

• -11.5 A、-200 V、R_DS(on) = 470 mΩ（最大值），需 V_GS = -10 V、I_D = -5.75 A栅极电荷低（典型值：31nC)
• 低 C_rss（典型值30pF)
• 100% 经过雪崩击穿测试
• 符合 RoHS 标准

Application Notes