FQB50N06: 60V N沟道QFET®

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体®的专有平面条形和 DMOS 技术生产。 这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。 这些设备适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

特性

• "
• 50A，60V，R_DS(on) = 22mΩ（最大值）（V_GS = 10 V且I_D = 25A 时）
• 低栅极电荷（典型值 31nC)
• 低 C_rss（典型值 65pF)
• 100% 经过雪崩击穿测试
• 175°C最大结温额定值"

Application Notes