FQB7N60: N 沟道 QFET® MOSFET 600V，7.4A，1Ω _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

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FQB7N60: N 沟道 QFET® MOSFET 600V，7.4A，1Ω

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。

**数据手册DataSheet**
FQB7N60.pdf

特性

7.4A, 600V, R_DS(on) = 1.0Ω(最大值）@V_GS = 10 V, I_D = 3.7A栅极电荷低（典型值：29nC)
低 C_rss（典型值16pF)
100% 经过雪崩击穿测试

**Ordering Code**
产品	产品和生态状况	单价/1K	包装方法规则	丝印标记
FQB7N60TM_WS	量产符合 RoHS 标准截至2006年2月27日中国 RoHS	$1.62	TO-263 2L (D2PAK) - 4.445 x 10.16 x 15.24mm, 卷带 TO-263 2L (D2PAK) 示意图最后更新: 2016年5月 TO263-2L, SURFACE MOUNT, VARIATION AB,PACKING DRAWING 最后更新: 2016年10月 TO263-2L, PACKING DRAWING 最后更新: 2013年5月 TO263_TUBE PACKING DRAWING 最后更新: 2013年6月	第一行$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &3 (3 位日期代码) &K 第二行FQB 第三行7N60S
FQB7N60TM	量产符合 RoHS 标准截至2006年2月27日中国 RoHS	$1.584	TO-263 2L (D2PAK) - 4.445 x 10.16 x 15.24mm, 卷带 TO-263 2L (D2PAK) 示意图最后更新: 2016年5月 TO263-2L, SURFACE MOUNT, VARIATION AB,PACKING DRAWING 最后更新: 2016年10月 TO263-2L, PACKING DRAWING 最后更新: 2013年5月 TO263_TUBE PACKING DRAWING 最后更新: 2013年6月	第一行$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &3 (3 位日期代码) &K 第二行FQB 第三行7N60

Application Notes

AN-558 Introduction to Power MOSFETs and their Applications 最后更新 : 2016年3月29日

AN-7515 AN-7515 单脉冲和重复UIS混合评估体系最后更新 : 2013年8月27日

AN-9005 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计最后更新 : 2014年11月26日

AN-7510 A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options 最后更新 : 2011年3月05日

AN-9065 AN-9065 同步整流中的 FRFET® 最后更新 : 2013年9月09日

AN-4163 Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation 最后更新 : 2014年10月23日

AN-9034 AN-9034 功率 MOSFET 雪崩应用指南最后更新 : 2013年8月27日

AN-9010 MOSFET 基础最后更新 : 2014年6月28日

AN-7533 A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation 最后更新 : 2011年3月05日

Datasheet: FQB7N60.pdf














Other: Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation Last Update : 23-Oct-2014; Introduction to Power MOSFETs and their Applications Last Update : 29-Mar-2016; A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options Last Update : 05-Mar-2011; A Combined Single-Pulse and Repetitive UIS Rating System Last Update : 03-Mar-2011; A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation Last Update : 05-Mar-2011; Driving and Layout Design for Fast Switching Super-Junction MOSFETs Last Update : 26-Nov-2014; MOSFET Basics Last Update : 09-Sep-2013; Power MOSFET Avalanche Guideline Last Update : 05-Mar-2011; FRFET® in Synchronous Rectification Last Update : 28-Jun-2014; TO263-2L, SURFACE MOUNT, VARIATION AB,PACKING DRAWING Last Update: Oct 2016; TO263-2L, PACKING DRAWING Last Update: May 2013; TO263_TUBE PACKING DRAWING Last Update: Jun 2013; TO-263 2L (D2PAK) Drawing Last Update: May 2016

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