FQB8P10: P 沟道 QFET® MOSFET -100V, -8.0A, 185mΩ

该 P 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

特性

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• -8.0A, -100V, R_DS(on) = 185mΩ（最大值）@V_GS = -10 V, I_D = -4A栅极电荷低（典型值：12nC)
• 低 C_rss（典型值30pF)
• 100% 经过雪崩击穿测试
• 175°C最大结温额定值"

Application Notes