FQD12N20: N 沟道 QFET® MOSFET 200V, 9.0A, 280mΩ

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及电子镇流器。.

特性

• 9.0A, 200V, R_DS(on) = 0.28Ω @V_GS = 10 V
• 低栅极电荷（典型值18 nC）
• 低Crss（典型值18pF）
• 快速开关
• 100% 经过雪崩击穿测试
• 提高了 dv/dt 性能

Application Notes