FQD5N15: N 沟道 QFET® MOSFET 150 V、4.3 A、800 mΩ

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。 这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。 这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

特性

• 4.3 A、150 V、R_DS(on) = 800 mΩ（最大值）@ V_GS = 10 V、I_D = 2.15 A
• 低栅极电荷（典型值 5.4 nC)
• 低 Crss（典型值 7.5 pF)
• 100% 经过雪崩击穿测试

Application Notes