FQI5N60C: N 沟道 QFET® MOSFET 600 V、4.5 A、2.5 Ω

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及电子镇流器。.

特性

• 4.5 A、600 V、R_DS(on) = 2.5 Ω（最大值），需 V_GS = 10 V、I_D = 2.25 A栅极电荷低（典型值：15nC)
• 低 C_rss（典型值6.5pF)
• 100% 经过雪崩击穿测试

Application Notes