FQP12P10: P 沟道 QFET® MOSFET -100 V、-11.5 A、290 mΩ

这些 P 沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形 DMOS 技术生产。 这一先进技术是专为最大限度地降低通态电阻，提供卓越的开关性能，以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。 这些器件非常适合音频放大器、高效开关DC/DC转换器以及DC电机控制等低压应用。

特性

• -11.5 A、-100 V、R_DS(on) = 290 mΩ（最大值）@ V_GS = -10 V、I_D = -5.75 A
• 低栅极电荷（典型值 21 nC)
• 低 Crss（典型值 65 pF)
• 100% 经过雪崩击穿测试
• 175℃ 最大结温额定值

Application Notes