FQP3N50C: N 沟道 QFET® MOSFET

这些 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形 DMOS 技术生产。这一先进技术是专为最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。这些器件非常适合高效开关电源、功率因数校正和半桥拓扑的电子灯整流器。

特性

• 3 A，500 V，R_DS(on) = 2.5 Ω（最大值），条件是 V_GS = 10 V
• 低栅极电荷（典型值10 nC)
• 低 Crss（典型值8.5 pF)
• 快速开关
• 100% 经过雪崩击穿测试
• 提高了 dv/dt 性能

Application Notes