FQP4P40: P 沟道 QFET® MOSFET -400 V、-3.5 A、3.1Ω

该 P 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

特性

• -3.5 A、-400 V、R_DS(on) = 3.1Ω（最大值），需 V_GS = -10 V、I_D = -1.75 A栅极电荷低（典型值：18nC)
• 低 C_rss（典型值11pF)
• 100% 经过雪崩击穿测试

Application Notes