FQPF8N80C: N 沟道 QFET® MOSFET 800V, 8A, 1.55Ω _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

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FQPF8N80C: N 沟道 QFET® MOSFET 800V, 8A, 1.55Ω

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。

**数据手册DataSheet**
FQPF8N80C.pdf

特性

8A, 800V, R_DS(on) = 1.55Ω（最大值）@V_GS = 10 V, I_D = 4A栅极电荷低（典型值：35nC)
低 C_rss（典型值13pF)
100% 经过雪崩击穿测试
符合 RoHS 标准

**Ordering Code**
产品	产品和生态状况	单价/1K	包装方法规则	丝印标记
FQPF8N80C	量产符合 RoHS 标准截至2006年2月27日中国 RoHS	$1.656	TO-220F 3L - 4.7 x 10.06 x 15.87mm, 管装 TO-220F 3L 示意图最后更新: 2017年2月 TO220-3L, FULL PACK, STRAIGHT LEAD, PACKING DRAWING 最后更新: 2013年5月 TO220F-3L, PACKING DRAWING 最后更新: 2013年5月 TO220-3L FULL PACKING TUBE PACKING DRAWING 最后更新: 2013年5月 TO220F_PACKING DRAWING 最后更新: 2013年5月	第一行$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &3 (3 位日期代码) &K 第二行FQPF 第三行8N80C
FQPF8N80CYDTU	量产符合 RoHS 标准截至2006年2月27日中国 RoHS	$1.728	TO-220F 3L - 4.5 x 9.9 x 15.7mm, 管装 TO-220F 3L 示意图最后更新: 2017年2月 TO220-3L, FULLPACK, EIAJ SC-65, Y-FORMED LEADS, PACKING DRAWING 最后更新: 2013年5月	第一行$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &3 (3 位日期代码) &K 第二行FQPF 第三行8N80C

Application Notes

AN-8025 使用 FAN7530 實現適用於 LED 照明之單級返馳式 AC-DC 轉換器的設計指南最后更新 : 2014年6月28日

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AN-7515 AN-7515 单脉冲和重复UIS混合评估体系最后更新 : 2013年8月27日

AN-9005 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计最后更新 : 2014年11月26日

AN-7510 A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options 最后更新 : 2011年3月05日

AN-9065 AN-9065 同步整流中的 FRFET® 最后更新 : 2013年9月09日

AN-4163 Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation 最后更新 : 2014年10月23日

AN-9034 AN-9034 功率 MOSFET 雪崩应用指南最后更新 : 2013年8月27日

AN-9010 MOSFET 基础最后更新 : 2014年6月28日

AN-7533 A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation 最后更新 : 2011年3月05日

Datasheet: FQPF8N80C.pdf


















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