FQT7N10: N 沟道 QFET® MOSFET 100V，1.7A，350mΩ

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

特性

• 1.7A, 100V, R_DS(on) = 350mΩ（最大值）@V_GS = 10 V, I_D = 0.85A栅极电荷低（典型值：5.8nC)
• 低 C_rss（典型值10pF)
• 100% 经过雪崩击穿测试

Application Notes