FQU2N100: N 沟道 QFET® MOSFET 1000 V、1.6 A、9 Ω

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体®的专有平面条形和 DMOS 技术生产。 这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。 这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。

特性

• 1.6A, 1000V, R _DS(on) = 9Ω @V GS = 10 V
• 低栅极电荷（典型值12 nC）
• 低Crss（典型值5pF）
• 快速开关
• 100% 经过雪崩击穿测试
• 提高了 dv/dt 性能

Application Notes