FQU2N50B: N 沟道 QFET® MOSFET

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。 这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。 这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

特性

• 1.6 A、500 V、R_DS(on) = 5.3 Ω（最大值）@ V_GS = 10 V、I_D = 0.8 A
• 低栅极电荷（典型值 6.0 nC)
• 低 Crss（典型值 4.3 pF)
• 快速开关
• 100% 经过雪崩击穿测试
• 提高了 dv/dt 性能

Application Notes