FQU2N60C: N 沟道 QFET® MOSFET 600V, 1.9A, 4.7Ω

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。

特性

• 1.9A, 600V, R_DS(on) = 4.7Ω（最大值）@V_GS = 10 V, I_D = 0.95A栅极电荷低（典型值：8.5nC)
• 低 C_rss（典型值4.3pF)
• 100% 经过雪崩击穿测试
• 符合 RoHS 标准

Application Notes