HGT1S10N120BNS: 1200 V NPT IGBT _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

HGT1S10N120BNST 基于非穿通 (NPT) IGBT 设计。该 IGBT 非常适合许多工作频率中等，而低传导损耗又至关重要的高压开关应用，如 UPS、太阳能逆变器、电机控制和电源。

**数据手册DataSheet**
HGT1S10N120BNS.pdf

**Ordering Code**
产品	产品和生态状况	单价/1K	包装方法规则	丝印标记
HGT1S10N120BNS	不推荐新设计使用截至2013年12月13日符合 RoHS 标准截至2006年2月27日替代部件: FGB20N60SF FGH15T120SMD_F155 HGT1S10N120BNS 中国 RoHS	$3.27	TO-263 2L (D2PAK) - 4.445 x 10.16 x 15.24mm, 管装 TO-263 2L (D2PAK) 示意图最后更新: 2016年5月 TO263-2L, SURFACE MOUNT, VARIATION AB,PACKING DRAWING 最后更新: 2016年10月 TO263-2L, PACKING DRAWING 最后更新: 2013年5月 TO263_TUBE PACKING DRAWING 最后更新: 2013年6月	第一行$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &3 (3 位日期代码) &K 第二行10N120BN
HGT1S10N120BNST	量产符合 RoHS 标准截至2006年2月27日中国 RoHS	$3.21	TO-263 2L (D2PAK) - 4.445 x 10.16 x 15.24mm, 卷带 TO-263 2L (D2PAK) 示意图最后更新: 2016年5月 TO263-2L, SURFACE MOUNT, VARIATION AB,PACKING DRAWING 最后更新: 2016年10月 TO263-2L, PACKING DRAWING 最后更新: 2013年5月 TO263_TUBE PACKING DRAWING 最后更新: 2013年6月	第一行$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &3 (3 位日期代码) &K 第二行10N120BN