KSP55: PNP外延硅晶体管 _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

KSP55: PNP外延硅晶体管

**数据手册DataSheet**
KSP55.pdf

特性

集电极-发射极电压： V_CEO= KSP55： 60V
集电极-发射极电压： V_CEO=KSP56： 80V
集电极损耗： P_C（最大值）= 625mW 放大器晶体管

**Ordering Code**
产品	产品和生态状况	单价/1K	包装方法规则	丝印标记
KSP55TA	量产符合 RoHS 标准截至2006年2月27日中国 RoHS	$0.0271	TO-92 3L - 4.19 x 5.2 x 21.77mm, AMMO TO-92 3L 示意图最后更新: 2015年10月 TO92-3L, PACKING DRAWING 最后更新: 2014年5月	第一行KSP 第二行55 第三行-&3 (3 位日期代码)

Application Notes

AN-1025 Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT™-3 Power MOSFETs 最后更新 : 2015年6月15日

TO-92 3L Drawing Last Update: Oct 2015

TO92-3L, PACKING DRAWING Last Update: May 2014

Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT™-3 Power MOSFETs Last Update : 15-Jun-2015

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