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MMBFJ108: N沟道开关
N沟道开关。该器件设计用于强制性要求极低导通电阻的模拟或数字开关应用。 采用工艺58设计。
数据手册DataSheet
MMBFJ108.pdf
Ordering Code
产品
产品和生态状况
单价/1K
包装方法规则
丝印标记
MMBFJ108
量产 绿色:截至2011年12月 中国 RoHS
$0.1018
SSOT 3L - 1.12 x 2.92 x 1.4mm, 卷带
SSOT 3L 示意图
最后更新: 2015年5月
SOT Tape and Reel Packing Drawing
最后更新: 2016年10月
第一行
&Y
(二进制历年编码)
第二行
I8
&E
(空间)
&G
(每周日期代码)
Application Notes
AN-1025
Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT™-3 Power MOSFETs
最后更新 : 2015年6月15日
AN-1026
Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT™-6 Power MOSFETs
最后更新 : 2011年6月14日
MMBFJ108 Datasheet
SSOT 3L Drawing
Last Update: May 2015
SOT Tape and Reel Packing Drawing
Last Update: Oct 2016
Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT™-3 Power MOSFETs
Last Update : 15-Jun-2015
Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT™-6 Power MOSFETs
Last Update : 14-Jun-2011
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