MTD3055V: N沟道增强模型场效应晶体管

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 比其他具有可比RDS(ON)规格的MOSFET相比，这些MOSFET拥有更快的开关速度和更低的栅极电荷。 因此，这是一款更易于驱动且更安全（在高频段也是如此）的MOSFET，可实现具有更高总效率的DC/DC电源设计。

特性

• 12 A，60 V。 R_DS(ON) = 0.15 Ω @ V_GS= 10 V
• 低栅极电荷。
• 开关速度快。
• 高性能沟道技术可实现极低的R_DS(ON)

Application Notes