MTP3055VL: 60V，单电源，TO-220，N沟道

这款N沟道逻辑电平MOSFET专为低电压、高速开关应用（即电源和电动机控制）而设计。 与其他具有同等RDS(ON)规格的MOSFET相比，这款MOSFET拥有更快的开关速度和更低的栅极电荷。 因此，这是一款更易于驱动且更安全的MOSFET（即使在高频情况下也是如此）。

特性

• 12A，60V
• R_DS(ON) = 0.18 mΩ @ V_GS = 5V
• 在高温下指定的临界DC电气参数。
• 驱动要求低，因而能够从逻辑驱动器直接运行。 Vgs(th) < 2 V。
• 耐用的内部源极-漏极二极管消除了使用外部齐纳二极管瞬态抑制器的必要。
• 175°C最大结温额定值。

Application Notes