NDB5060L: N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管

这些逻辑电平N沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的高密度DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低通态电阻，提供卓越的开关性能，以及在雪崩和交换模式下承受高能量脉冲而定制的。 这些器件特别适合需要快速开关、低线路内功率损耗以及抗瞬变能力的汽车、DC/DC转换器、PWM电机控制和其他电池供电电路等低电压应用。

特性

• 26 A，60 V。 R_DS(ON) = 0.05Ω @ V_GS= 5 V，R_DS(ON) = 0.035Ω @ V_GS= 10 V。
• 在高温下额定的临界DC电气参数。
• 耐用的内部源极-漏极二极管使得无需使用外部齐纳二极管瞬态抑制器。
• 175°C最大结温额定值。
• 采用高密度单元设计，可实现极低的R_DS(ON)。
• TO-220和TO-263 (D²PAK)封装，适用于通孔和表面贴装应用。

Application Notes