NDB6030PL: P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管

这些P沟道逻辑电平增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的高密度DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。 这些器件特别适合需要快速开关、低线路内功率损耗以及抗瞬变能力的DC/DC转换器和高效率开关电路等低电压应用。

特性

• -30 A，-30 V。 RDS(ON) = 0.042 Ω @ VGS= -4.5 V，RDS(ON) = 0.025 Ω @ VGS= -10 V。
• 在高温下额定的临界DC电气参数。
• 耐用的内部源极-漏极二极管使得无需使用外部齐纳二极管瞬态抑制器。
• 高密度单元设计，可实现极低的RDS(ON)。
• 175°C最大结温额定值。

Application Notes