NDC7001C: 双N＆P沟道增强模式场效应晶体管

双N&P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管采用了飞兆半导体专有的高单元密度、DMOS技术。 这一密度非常高的工艺是专为最大限度地降低通态电阻，提供稳固和可靠的性能以及快速开关而定制的。 此类器件特别适合低压、低电流、开关和电源应用。

特性

• Q1： 0.51A，60V
• R_DS(ON) = 2 Ω @ V_GS = 10V
• R_DS(on) = 4 Ω @ V_GS = -4.5 V
• Q2： -0.34A，60V
• R_DS(on) = 5Ω @ V_GS = -10V
• R_DS(on) = 7.5 Ω @ V_GS = -4.5 V
• 高饱和电流
• 采用高密度单元设计，可实现极低的R_DS(ON)。
• 专有SuperSOT^TM-6封装设计采用铜引脚架构，以获得出色的热性能和电气性能

Application Notes