NDS0610: P沟道增强模式场效应晶体管

此P沟道增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高密度DMOS技术生产。 这一密度非常高的工艺是专为最大限度地降低通态电阻，提供稳固和可靠的性能以及快速开关而定制的。 NDS0610在要求DC高达120mA的多数应用中可轻松使用，并且可提供高达1A的电流。 该产品特别适合需要低电流高边开关的低电压应用。

特性

• -0.12 A, -60 V. R_DS(ON) = 10 Ω @ V_GS = -10 V R_DS(ON) = 20 Ω @ V_GS = -4.5 V
• 电压控制P沟道小信号开关
• 高密度设计可实现低_RDS(ON)
• 高饱和电流

Application Notes