NDS9952A: Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

这些双N和P沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的高密度DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低通态电阻，提供卓越开关性能，以及在雪崩和交换模式下承受高能量脉冲而定制的。 这些器件特别适合笔记本电脑功率管理和其他电池供电电路中的低电压应用，此类应用需要快速开关、低线路内功率损耗以及抗瞬变能力。

特性

• N-Channel 3.7A, 30V, R_DS(ON)=0.08W @ V_GS=10V,
  P-Channel -2.9A, -30V, R_DS(ON)=0.13W @ V_GS=-10V.
  
• 通态电阻RDS(ON)极低的高密度单元设计。
  
• 高功率和高电流处理能力，采用广泛使用的表面贴装封装。
  表面贴装封装中的双（N＆P沟道）MOSFET。
  

Application Notes