NDT2955: P沟道增强模式场效应晶体管 _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

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NDT2955: P沟道增强模式场效应晶体管

此60V P沟道MOSFET采用飞兆半导体的高电压Trench工艺生产。已针对功率管理应用进行了优化。

**数据手册DataSheet**
NDT2955.pdf

特性

-2.5A，-60V
R_DS(ON) = 300mΩ @ V_GS = -10V
R_DS(ON) = 500mΩ @ V_GS = -4.5V
高密度单元设计可实现极低的R_DS(ON)
高功率和高电流处理能力，采用广泛使用的表面贴装封装。

**Ordering Code**
产品	产品和生态状况	单价/1K	包装方法规则	丝印标记
NDT2955	量产符合 RoHS 标准截至2006年2月27日中国 RoHS	$0.2904	SOT-223 4L - 1.8 x 6.5 x 3.5mm, 卷带 SOT-223 4L 示意图最后更新: 2016年7月	第一行$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &3 (3 位日期代码) &K 第二行2955

Application Notes

AN-558 Introduction to Power MOSFETs and their Applications 最后更新 : 2016年3月29日

AN-7515 AN-7515 单脉冲和重复UIS混合评估体系最后更新 : 2013年8月27日

AN-9005 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计最后更新 : 2014年11月26日

AN-7510 A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options 最后更新 : 2011年3月05日

AN-9065 AN-9065 同步整流中的 FRFET® 最后更新 : 2013年9月09日

AN-4163 Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation 最后更新 : 2014年10月23日

AN-9034 AN-9034 功率 MOSFET 雪崩应用指南最后更新 : 2013年8月27日

AN-9010 MOSFET 基础最后更新 : 2014年6月28日

AN-7533 A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation 最后更新 : 2011年3月05日

AN-1028 Maximum Power Enhancement Techniques for SOT-223 Power MOSFETs 最后更新 : 2011年3月05日

Datasheet: NDT2955.pdf












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