NDT3055L: N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管

这些逻辑电平N沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的高密度DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低通态电阻，提供卓越开关性能，以及在雪崩和交换模式下承受高能量脉冲而定制的。 这些器件特别适合DC马达控制和DC/DC转换等低电压应用，此类应用需要快速开关、低线路内功率损耗以及抗瞬变能力。

特性

• 4 A，60 V。 R_DS(ON) = 0.100 Ω @ V_GS = 10 V，R_DS(ON) = 0.120 Ω @ V_GS = 4.5 V。
• 低驱动要求使得能够直接从逻辑驱动器进行操作。 V_GS(TH)< 2V。
• 采用高密度单元设计，可实现极低的R_DS(ON)。
• 采用广泛使用的表面贴装封装，具有高功率和高电流处理能力。

Application Notes