NDT451AN: N沟道增强模型场效应晶体管

功率SOT N沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的高密度DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越开关性能而定制的。 这些器件特别适合DC马达控制和DC/DC转换等低电压应用，此类应用需要快速开关、低线路内功率损耗以及抗瞬变能力。

特性

• 7.2 A，30 V。 R_DS(ON) = 0.035Ω @ V_GS = 10V, R_DS(ON) = 0.05Ω @ V_GS = 4.5V.
• 高密度设计可实现极低的R_DS(ON)。
• 采用广泛使用的表面贴装封装，具有高功率和高电流处理能力。

Application Notes