这些N沟道功率MOSFET采用MegaFET工艺生产。 这种工艺使用接近LSI集成电路的特征尺寸,优化了硅原料利用率,可以带来出色的性能。 这些器件设计用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动和继电器驱动器等应用。 这种性能通过一种特殊的栅极氧化设计来实现,在3V到5V的栅极偏压范围内可提供完整的额定电导,从而可以通过逻辑电平(5V)集成电路直接进行真正的开关电源控制。 以前的开发类型为TA09870。
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