RFD16N05LSM: 50V、16A、47mΩ、N沟道逻辑电平Power MOSFET

这些N沟道逻辑电平功率MOSFET使用MegaFET工艺制造。 这种工艺使用接近LSI集成电路的特征尺寸，优化了硅原料利用率，可以带来出色的性能。 这些器件设计用于逻辑电平(5V)驱动源，适用于可编程控制器、车用开关、开关稳压器、开关转换器、电机继电器驱动器和双极晶体管发射极开关等应用。 这种性能通过一个特殊的栅极氧化设计来实现，在栅极偏置范围为3V到5V时提供完整的额定电导，从而可以通过逻辑电路电源电压直接实现真正的开-关电源控制。 以前的开发类型为TA09871。

特性

• 16A, 50V
• r_DS(ON)= 0.047Ω
• UIS SOA等级曲线（单脉冲）
• 针对5V栅极驱动优化的设计
• 可直接从CMOS、NMOS、TTL电路驱动
• 与车用驱动要求兼容
• SOA为有限功耗
• 纳秒开关速度
• 线性传递特性
• 高输入阻抗
• 多数载流子器件
• 相关文献
• TB334，“PC板焊接表面贴装元件的指南”

Application Notes