RFD16N05SM: 50V、16A、47mΩ、N沟道Power MOSFET

RFD16N05和RFD16N05SM N沟道MOSFET是利用MegaFET工艺制造而成的。 这种工艺使用接近LSI集成电路的特征尺寸，优化了硅原料利用率，可以带来出色的性能。 这些器件设计用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动和继电器驱动器等应用。 此类晶体管可以直接通过集成电路运行。 以前的开发类型为TA09771。

特性

• 16A, 50V
• r_DS(ON)= 0.047Ω
• 温度补偿式PSPICE模型
• 峰值电流与脉宽曲线
• UIS额定值曲线
• 175°C工作温度
• 相关文献
• TB334，“PC板焊接表面贴装元件的指南”

Application Notes