RFD3055LESM: 60V、11A、107mΩ、N沟道逻辑电平Power MOSFET _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

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RFD3055LESM: 60V、11A、107mΩ、N沟道逻辑电平Power MOSFET

这些N沟道加强模式功率MOSFET采用最新制造工艺技术制造。这种工艺使用接近LSI集成电路的特征尺寸，优化了硅原料利用率，可以带来出色的性能。这些器件设计用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动和继电器驱动器等应用。此类晶体管可以直接通过集成电路运行。以前的开发类型为TA49158。

**数据手册DataSheet**
RFD3055LESM.pdf

特性

11A，60V
r_DS(ON)= 0.107Ω
温度补偿式PSPICE®模型
峰值电流与脉宽曲线
UIS额定值曲线
相关文献
TB334，“PC板焊接表面贴装元件的指南”

**Ordering Code**
产品	产品和生态状况	单价/1K	包装方法规则	丝印标记
RFD3055LESM9A	量产符合 RoHS 标准截至2006年2月27日中国 RoHS	$0.3726	TO-252 3L (DPAK) - 2.285 x 6.54 x 9.905mm, 卷带 TO-252 3L (DPAK) 示意图最后更新: 2016年6月 TO252-3L, JEDEC OPTION AA REEL PACKING DRAWING 最后更新: 2016年10月 TO252-3L, PACKING DRAWING 最后更新: 2013年5月 TO252-3L packing drawing 最后更新: 2013年5月	第一行$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &3 (3 位日期代码) &K 第二行F3055L

Application Notes

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Datasheet: RFD3055LESM.pdf
















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