RFP70N06: 60V、70A、14mΩ、N沟道Power MOSFET _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

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RFP70N06: 60V、70A、14mΩ、N沟道Power MOSFET

这些N沟道逻辑电平功率MOSFET使用MegaFET工艺制造。这种工艺使用接近LSI集成电路的特征尺寸，优化了硅原料利用率，可以带来出色的性能。这些器件设计用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动和继电器驱动器等应用。此类晶体管可以直接通过集成电路运行。以前的开发类型为TA78440。

**数据手册DataSheet**
RFP70N06.pdf

特性

70A, 60V
r_DS(ON)= 0.014Ω
温度补偿式PSPICE®模型
峰值电流与脉宽曲线
UIS等级曲线（单脉冲）
175°C工作温度
相关文献
TB334，“PC板焊接表面贴装元件的指南”

**Ordering Code**
产品	产品和生态状况	单价/1K	包装方法规则	丝印标记
RFP70N06	量产符合 RoHS 标准截至2006年2月27日中国 RoHS	$1.476	TO-220 3L - 4.83 x 10.16 x 8.89mm, 管装 TO-220 3L 示意图最后更新: 2015年11月 TO220-3L, JEDEC VARIATION, PACKING DRAWING 最后更新: 2013年10月 TO Tube Packing Drawing 最后更新: 2015年9月 TO Vacuum Packing Drawing 最后更新: 2015年9月	第一行$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &3 (3 位日期代码) &K 第二行RFP70N06

Application Notes

AN-558 Introduction to Power MOSFETs and their Applications 最后更新 : 2016年3月29日

AN-7515 AN-7515 单脉冲和重复UIS混合评估体系最后更新 : 2013年8月27日

AN-9005 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计最后更新 : 2014年11月26日

AN-7510 A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options 最后更新 : 2011年3月05日

AN-9065 AN-9065 同步整流中的 FRFET® 最后更新 : 2013年9月09日

AN-4163 Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation 最后更新 : 2014年10月23日

AN-9034 AN-9034 功率 MOSFET 雪崩应用指南最后更新 : 2013年8月27日

AN-9010 MOSFET 基础最后更新 : 2014年6月28日

AN-7533 A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation 最后更新 : 2011年3月05日

AN-7517 Practical Aspects of Using PowerMOS Transistors to Drive Inductive Loads 最后更新 : 2011年3月05日

AN-7516 Safe Operating Area Testing Without A Heat Sink 最后更新 : 2011年3月05日

Datasheet: RFP70N06.pdf
















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