SI4435DY: 30V P沟道PowerTrench® MOSFET

此P沟道MOSFET是采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产的稳固栅极版本。 它已针对需要大范围栅极驱动电压额定值(4.5V – 25V)的功率管理应用进行了优化。

特性

• -8.8 A，-30 V R_DS(ON) = 20 mΩ @ VGS = -10 V
  R_DS(ON) = 35 mΩ @ VGS = -4.5 V
  
• 低栅极电荷（17nC，典型值）
  
• 快速开关速度
  
• 高性能沟道技术可实现极低的r_DS(on)
  
• 高功率和高电流处理能力
  

Application Notes