SI4542DY: 30V互补PowerTrench® MOSFET

此互补MOSFET器件采用飞兆先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大程度地降低导通阻抗并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。

特性

• Q1： N沟道6A，30V
• R_DS(ON) = 28 mΩ @ V_GS = 10 V
• R_DS(ON) = 35 mΩ @ V_GS = 4.5 V
• Q2： N沟道-6A，-30V
• R_DS(ON) = 32 mΩ @ V_GS = -10 V
• R_DS(ON) = 45 mΩ @ V_GS = -4.5 V

Application Notes