SSN1N45B: 450V N沟道B-FET _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

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SSN1N45B: 450V N沟道B-FET

这些N沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面DMOS技术生产。这一先进技术是专为最大限度地降低通态电阻，提供卓越开关性能，以及在雪崩和交换模式下承受高能量脉冲而定制的。这些器件非常适合半桥配置的电子整流器。

**数据手册DataSheet**
SSN1N45B.pdf

特性

0.5A，450V，R_DS(on)= 4.25Ω @V_GS = 10 V
低栅极电荷（典型值6.5nC）
低Crss（典型值6.5 pF）
100%经过雪崩测试
可提高dv/dt处理能力
栅极-源电压 ±；50V保证

**Ordering Code**
产品	产品和生态状况	单价/1K	包装方法规则	丝印标记
SSN1N45BTA	量产符合 RoHS 标准截至2006年2月27日中国 RoHS	$0.324	TO-92 3L - 4.19 x 5.2 x 21.77mm, AMMO TO-92 3L 示意图最后更新: 2015年10月 TO92-3L, PACKING DRAWING 最后更新: 2014年5月	第一行1N45B 第二行3

Application Notes

AN-558 Introduction to Power MOSFETs and their Applications 最后更新 : 2016年3月29日

AN-7515 AN-7515 单脉冲和重复UIS混合评估体系最后更新 : 2013年8月27日

AN-9005 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计最后更新 : 2014年11月26日

AN-7510 A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options 最后更新 : 2011年3月05日

AN-9065 AN-9065 同步整流中的 FRFET® 最后更新 : 2013年9月09日

AN-4163 Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation 最后更新 : 2014年10月23日

AN-9034 AN-9034 功率 MOSFET 雪崩应用指南最后更新 : 2013年8月27日

AN-9010 MOSFET 基础最后更新 : 2014年6月28日

AN-7533 A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation 最后更新 : 2011年3月05日

Datasheet: SSN1N45B.pdf












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