LTC®1154 单通道高压侧栅极驱动器允许在高压侧开关应用中使用低成本的 N 沟道 FET。一个内部充电泵把栅极驱动电压提升至正电源轨以上,从而在未使用任何外部元件的情况下全面地强化了一个 N 沟道 MOS 开关。微功率操作 (待机电流为 8μA,工作电流为 85μA) 使其在几乎所有系统中使用时都能够实现最高的效率。 在该芯片上集成了可编程过流检测电路。可以增加一个延时,以防止在高浪涌电流负载上引起误触发。还提供了一个高态有效停机输入,并与一个标准的 PTC 热敏电阻直接相连,以实现热停机功能。提供了一个漏极开路输出,用于向 μP (微处理器) 报告开关状态。提供了一个低态有效使能输入,以控制编排成组的多个开关。 LTC1154 采用 8 引脚 DIP 和 8 引脚 SOIC 封装。
器件型号 | 封装 | 温度 | 价格 (以 1 ~ 99 片为批量) | 价格 (以 1000 片为批量) * |
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LTC1154CN8#PBF | N-8 | C | $2.15 | $1.80 |
LTC1154CS8#PBF | SO-8 | C | $2.35 | $1.90 |
LTC1154CS8#TRPBF | SO-8 | C | $1.96 | |
LTC1154HS8#PBF | SO-8 | H | $3.36 | $2.35 |
LTC1154HS8#TRPBF | SO-8 | H | $2.41 |
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