LTC®4359 是一款正高电压理想二极管控制器,用于驱动一个外部 N 沟道 MOSFET 以取代肖特基二极管。该器件可控制 MOSFET 两端的正向电压降,以确保无振荡的平滑电流传输,即使在轻负载条件下也不例外。如果电源发生故障或短路,则快速关断可最大限度地抑制反向电流瞬变。这款器件还提供了一种停机模式,用于为负载开关将静态电流减小至 9μA 以及在理想二极管应用中减小至 14μA。
当在高电流二极管应用中使用时,LTC4359 可减低功耗、热耗散、电压损耗和 PC 板占用面积。凭借其宽工作电压范围、反向输入电压承受能力和高额定温度,LTC4359 可满足汽车和电信应用的苛刻要求。另外,LTC4359 还能容易地在具有冗余电源的系统中对电源进行 “或” 操作。
特点
典型应用 | 应用
封装信息 |
器件型号 | 封装 | 温度 | 价格 (以 1 ~ 99 片为批量) | 价格 (以 1000 片为批量) * |
---|---|---|---|---|
LTC4359CDCB#PBF | 2x3 DFN-6 | C | $3.00 | |
LTC4359CDCB#TRMPBF | 2x3 DFN-6 | C | $3.00 | $2.15 |
LTC4359CDCB#TRPBF | 2x3 DFN-6 | C | $3.00 | $2.10 |
LTC4359CMS8#PBF | MS-8 | C | $3.00 | $2.10 |
LTC4359CMS8#TRPBF | MS-8 | C | $2.16 | |
LTC4359HDCB#PBF | 2x3 DFN-6 | H | $3.97 | |
LTC4359HDCB#TRMPBF | 2x3 DFN-6 | H | $3.97 | $2.83 |
LTC4359HDCB#TRPBF | 2x3 DFN-6 | H | $3.97 | $2.78 |
LTC4359HMS8#PBF | MS-8 | H | $3.97 | $2.78 |
LTC4359HMS8#TRPBF | MS-8 | H | $2.84 | |
LTC4359IDCB#PBF | 2x3 DFN-6 | I | $3.45 | |
LTC4359IDCB#TRMPBF | 2x3 DFN-6 | I | $3.45 | $2.47 |
LTC4359IDCB#TRPBF | 2x3 DFN-6 | I | $3.45 | $2.42 |
LTC4359IMS8#PBF | MS-8 | I | $3.45 | $2.42 |
LTC4359IMS8#TRPBF | MS-8 | I | $2.48 |
器件型号 | 描述 | 价格 |
---|---|---|
DC1502A | LTC4359DCB Demoboard: 12V, 20A Ideal Diode with Reverse Input Protection | $75.00 |
DC1676A | LTC4359DCB Demoboard: 28V, 20A Ideal Diode and Switch with Reverse Input Protection | $75.00 |
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