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MG1250S-BA1MM 系列 - 1200V 50A IGBT模块
数据手册DataSheet 下载:
Power Semiconductor MG1250S BA1MM Datasheet
Littelfuse的半桥电路IGBT模块有符合行业标准的S、D、或WB封装,额定值高达1200V和600A,通过将简单的MOSFET门极驱动器与双极晶体管的高电流和低饱和电压开关能力相结合,提供高效率和快速开关速度。 标准和定制解决方案均可准确符合电路设计师要求的性能标准。
功能与特色
超低损耗
高强度
卓越防短路性能
正温度系数装置
采用快速续流二极管
应用
交流电机控制器
变流器
运动/伺服控制器
电源
太阳能逆变器
Ordering 订购信息
产品号
VCES (V)
VCE(sat) (V)
Eoff (mJ)
封装类型
尺寸
RthJC (K/W)
拓扑
Ptot - (W)
UL认可文件号码
MG1250S-BA1MM
1200
1.8
3.7
bulk
Package S: 94 x 34 x 30 (mm)
0.3
circuit B
500
E71639
Datasheet
Power Semiconductor MG1250S BA1MM Datasheet
mg1250s-ba1mm
Download
MG1250S-BA1MM
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