数据手册DataSheet 下载:Power Semiconductor MG1275S BA1MM Datasheet
Littelfuse的半桥电路IGBT模块有符合行业标准的S、D、或WB封装,额定值高达1200V和600A,通过将简单的MOSFET门极驱动器与双极晶体管的高电流和低饱和电压开关能力相结合,提供高效率和快速开关速度。 标准和定制解决方案均可准确符合电路设计师要求的性能标准。
功能与特色
应用
产品号 | VCES (V) | VCE(sat) (V) | Eoff (mJ) | 封装类型 | 尺寸 | RthJC (K/W) | 拓扑 | Ptot - (W) | UL认可文件号码 |
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MG1275S-BA1MM | 1200 | 1.8 | 4.9 | bulk | Package S: 94 x 34 x 30 (mm) | 0.2 | circuit B | 630 | E71639 |