数据手册DataSheet 下载:TVS Diode SRDA 3 3 Datasheet
SRDA3.3系列瞬态抑制二极管阵列将低电容控向二极管与附加的齐纳二极管加以结合,以保护数据线路免受ESD和高浪涌事故的危害。 相比其他可用的解决方案,这些器件能够在±30kV电压下安全地吸收高达35A和反复性ESD震击,而不会出现性能退化现象,提供40%更高浪涌值和20%更高电源处理能力。 凭借比市场上同类解决方案低50%的负载电容,它们是用于保护电信接口,而无需牺牲信号完整性的理想之选。
功能与特色:
特色:
应用:
第三级(IC侧)保护:
产品号 | 断态电压(V) | I泄漏(μA) | ESD触点(kV) | 静电放电(空气)(kV) | 雷击防护(8x20μs)(A) | 箝位电压 | CI/OTYP(pF) | 尺寸 | 极性 | 通道 |
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SRDA3.3-4BTG | 3.3 | 1 | 30 | 30 | 35 | 1A时是5.7V | 8 | SOIC-8 | 双极 | 4 |