GTL2003BQ: 8位双向低电压变换器
射型收发器逻辑 - 收发器电压钳位(GTL-TVC)提供低通态电阻和最小传输延迟的高速电压变换。GTL2003提供八个带有共栅(GREF)的NMOS传输晶体管(Sn和Dn)和一个参考晶体管(SREF和DREF)。该器件允许0.8 V和5.0 V之间的双向电压变换而无需使用方向引脚。当正确设置偏压时,可实现低于0.8 V的电压变换。有关更多信息,请参见应用注意事项AN11127。
当Sn或Dn端口为低电平时,钳位处于通态且Sn和Dn端口之间存在低电阻连接。假设Dn端口上为更高的电压,当Dn端口为高电平时,Sn端口上的电压限制为参考晶体管(SREF)设置的电压。当Sn端口为高电平时,上拉电阻会将Dn端口上拉至VDD1。此功能允许在用户选择的更高和更低电压之间进行无缝变换,而无需方向控制。
所有晶体管具有相同的电特性,输出间的电压或传输延迟具有最小的偏差。由于晶体管是对称制造的,所以这有利于分离式晶体管电压变换解决方案。因为器件中的所有晶体管完全相同,所以可在任何其他八个匹配Sn/Dn晶体管上寻找SREF和DREF,允许更方便的电路板布局。变换器的晶体管为低电压器件提供极佳的ESD保护并同时保护低ESD抗性器件。
- 8位双向低电压变换器
- 允许0.8 V、0.9 V、1.0 V、1.2 V、1.5 V、1.8 V、2.5 V、3.3 V和5 V总线(允许直接连接GTL、GTL+、LVTTL/TTL和5 V CMOS电平)之间的电压电平变换
- 提供双向电压变换,无方向引脚
- 输入和输出引脚(Sn/Dn)之间有低6.5 Ω导通状态阻抗(Ron)
- 支持热插入
- 无需电源:不会闭锁
- 5 V耐受输入
- 低待机电流
- 直通引出线便于印刷电路板走线排布
- ESD保护:按JESD22-A114超过2000 V HBM,按JESD22-C101超过1000 V CDM
- 提供封装:TSSOP20、DHVQFN20
- 需要双向或单向电压电平变换的任何应用(从0.8 V至5.0 V的任意电压到0.8 V至5.0 V之间的任意电压转换)
- 无方向引脚的开漏结构非常适合双向低电压(例如,0.8 V、0.9 V、1.0 V、1.2 V、1.5 V或1.8 V)处理器I²C总线端口变换至普通3.3 V和/或5.0 V I²C总线信号电平或GTL/GTL+变换至LVTTL/TTL信号电平。
| GTL2003BQ: 产品结构框图Outline 3d SOT764-1 |
数据手册 (1)
应用说明 (4)
用户指南 (3)
手册 (3)
封装信息 (1)
包装 (1)
报告或演示文稿 (1)
订购信息
型号 | 状态 | Package version | 应用 | Enable | 功能 | Operating Temperature (Cel) | Number of bits | Voltage Translation Range (V) | Operating voltage (VDC) | Operating voltage 2 (V) | Inputs | Outputs | TTL Drive (mA) | GTL Drive (mA) | I2C-bus (kHz) |
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GTL2003BQ | Active | SOT764-1 | Voltage Translation | | Open Drain Voltage Translation | -40~85 | 8 | 1.0 to 5.0 ~ 1.0 to 5.0 | | | | | | | |
封装环保信息
产品编号 | 封装说明 | Outline Version | 回流/波峰焊接 | 包装 | 产品状态 | 部件编号订购码 (12NC) | Marking | 化学成分 | RoHS / 无铅 / RHF | 无铅转换日期 | EFR | IFR(FIT) | MTBF(小时) | MSL | MSL LF |
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GTL2003BQ | | SOT764-1 | | Reel 7" Q1/T1 | Active | GTL2003BQ,115
(9352 841 87115) | 2003 | GTL2003BQ | | Always Pb-free | 0.0 | 3.0 | 3.33E8 | 1 | 1 |