NPN低VCEsat突破性小信号(BISS)晶体管,采用SOT666表面贴装器件(SMD)塑料封装。
PNP补充:PBSS5220V。
名称/描述 | Modified Date |
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20 V, 2 A NPN low VCEsat (BISS) transistor (REV 2.0) PDF (178.0 kB) PBSS4220V [English] | 25 Jan 2010 |
名称/描述 | Modified Date |
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Thermal behavior of small-signal discretes on multilayer PCBs (REV 1.0) PDF (211.0 kB) AN11076 [English] | 12 Jul 2011 |
名称/描述 | Modified Date |
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Application guide; Portable devices and mobile handsets (REV 2.0) PDF (15.4 MB) 75017090 [English] | 13 Mar 2012 |
名称/描述 | Modified Date |
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plastic surface-mounted package; 6 leads (REV 1.0) PDF (188.0 kB) SOT666 [English] | 08 Feb 2016 |
名称/描述 | Modified Date |
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Tape reel SMD; standard product orientation 12NC ending 115 (REV 1.0) PDF (178.0 kB) SOT666_115 [English] | 29 Nov 2012 |
名称/描述 | Modified Date |
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PBSS4220V NXP® Product Reliability (REV 1.1) PDF (82.0 kB) PBSS4220V_1 [English] | 31 Jan 2015 |
PBSS4220V NXP Product Quality (REV 1.2) PDF (74.0 kB) PBSS4220V_NXP_PRODUCT_QUALITY [English] | 31 Jan 2015 |
名称/描述 | Modified Date |
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Reflow Soldering Profile (REV 1.0) PDF (34.0 kB) REFLOW_SOLDERING_PROFILE [English] | 30 Sep 2013 |
型号 | 状态 | Package version | Package name | 大小 (mm) | Transistor polarity | transistor polarity | Ptot [max] (mW) | number of transistors | VCEO [max] (V) | IC [max] (A) | ICM [max] (A) | hFE [min] | hFE [typ] | fT [typ] (MHz) | RCEsat [typ] (mΩ) | VCEsat [max] (mV) | RCEsat [max] (mΩ) |
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PBSS4220V | Active | SOT666 | SOT666 | 1.6 x 1.2 x 0.55 | NPN | 300 | 1 | 20 | 2 | 4 | 220 | 480 | 210 | 140 | 355 | 175 |
产品编号 | 封装说明 | Outline Version | 回流/波峰焊接 | 包装 | 产品状态 | 部件编号订购码 (12NC) | Marking | 化学成分 | RoHS / 无铅 / RHF | 无铅转换日期 | EFR | IFR(FIT) | MTBF(小时) | MSL | MSL LF |
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PBSS4220V | SOT666 | Reflow_Soldering_Profile | Reel 7" Q1/T1 | Active | PBSS4220V,115 (9340 592 59115) | N6 | PBSS4220V | Always Pb-free | 153.0 | 0.71 | 1.41E9 | 1 | 1 |