数据手册DataSheet 下载:BUK652R6-40C N沟道TrenchMOS FET.pdf
中间电平栅极驱动N沟道增强型场效应晶体管(FET),采用塑料封装,使用先进的TrenchMOS技术。该产品设计符合相应AEC Q101标准,适用于高性能汽车电子应用。
产品特点
- 符合AEC Q101标准
- 适用于标准和逻辑电平栅极驱动源
- 额定温度为175 °C,适用于对热性能要求苛刻的环境
| 产品应用
- 12 V和24 V汽车系统
- 电动和电动液压助力转向
- 马达、灯具和螺线管控制
- 微型混合动力起止应用
- 变速箱控制
- 超高性能电源开关
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订购型号
订购型号 | 封装 | Outline version | Reflow-/Wave soldering | 包装 | 产品状态 | 标示 | 订购器件的编号 |
BUK652R6-40C | TO-220AB (SOT78A) | sot078a_po | | Horizontal, Rail Pack | 激活 | BUK652R6-40C | BUK652R6-40C,127( 9340 642 49127 ) |
品质、可靠性及RoHS化学成分
订购型号 | 订购器件的编号 | RoHS / RHF | 无铅开始日期 | EFR | IFR (FIT) | MTBF(小时) | 潮湿敏感度等级 | MSL LF |
BUK652R6-40C | BUK652R6-40C,127 | | Always Pb-free | NA | NA | | | |
产品技术资料