MRFG35010ANT1: 500-5000 MHz,9 W,12 V功率FET GaAs pHEMT

特性
  • 3550 MHz连续波时,9 W P1dB
  • 卓越的相位线性和组时延特征
  • 高效率和高线性
  • 符合RoHS规范
  • 采用盘卷包装。T1后缀 = 1000个,12 mm卷带宽度,7英寸卷盘。
PLD 1.5 Package Image
数据手册 (1)
名称/描述Modified Date
MRFG35010ANT1 500-5000 MHz, 9 W, 12 V Power FET GaAs pHEMT - Data Sheet (REV 4) PDF (1.1 MB) MRFG35010AN [English]23 Aug 2013
应用说明 (1)
名称/描述Modified Date
AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes (REV 1) PDF (112.4 kB) AN1955 [English]29 Apr 2014
简介 (1)
名称/描述Modified Date
Power GaAs pHEMT Fact Sheet (REV 0) PDF (294.7 kB) GAASPHEMTFS [English]12 Apr 2012
选型工具指南 (1)
名称/描述Modified Date
RF Products Selector Guide (REV 43) PDF (3.8 MB) SG46 [English]26 May 2016
封装信息 (1)
名称/描述Modified Date
98ASB15740C, PLD, 6.2x7.0x1.74, Pitch 7.09, 3 Pins (REV E) PDF (51.5 kB) 98ASB15740C [English]22 Mar 2016
参考设计
印刷电路板
订购信息
型号状态Frequency Min (Min) (MHz)Frequency Max (Max) (MHz)供电电压 (Min-Max) (V)P1dB (Typ) (dBm)测试信号增益 (Typ) (dB) @ f (MHz)热阻 (Spec)(°C/W)类型
MRFG35010ANT1Active500500012 to 1239.5W-CDMA10 @ 35506.5AB
封装环保信息
封装说明Outline Version包装产品状态部件编号化学成分RoHS / Pb Free中国RoHS查询MSLPPT (°C)
PLD-1.598ASB15740CMPQ - 1000 REELPOQ - 1000 REELActiveMRFG35010ANT1MRFG35010ANT1.pdf3260
MRFG35010ANT1 500-5000 MHz, 9 W, 12 V Power FET GaAs pHEMT - Data Sheet mrfg35010ant1
AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers - Application Notes MMT20303H
Power GaAs pHEMT Fact Sheet MMG3014NT1
RF Products Selector Guide MMT20303H
725-760 MHz,1.0 W平均值,12 V LTE放大器系列参考设计 MMG3014NT1
MRFG35010ANT1 750 MHz CAD DXF File with PCB Layout MRFG35010ANT1
98ASB15740C, PLD, 6.2x7.0x1.74, Pitch 7.09, 3 Pins MRFG35003N6AT1
MRFG35010ANT1.pdf MRFG35010ANT1