DDR-SDRAM用终端用线性电源 BD3538HFN
BD3538HFN是适用于JEDEC标准DDR－SDRAM的终端稳压器。内置N-MOSFET，漏型/源型最大可提供1A电流的线性电源。内部的OP-AMP采用高速设计，实现了优异的瞬态响应特性。为驱动内部的N-MOSFET，需要3.3V或5.0V偏压电源。为确保JEDEC规定的电压精度，本产品拥有独立的基准输入引脚（VDDQ）和独立的反馈引脚（VTTS），实现了优异的输出电压精度和负载调整率。还有DDR-SDRAM、存储器控制器用基准电源输出引脚（VREF）。EN引脚=L时，VTT输出为Hi-Z，并保持VREF输出，对应DDR-SDRAM的Self Refresh状态。
| 型号 | Status | 封装 | 包装数量 | 最小独立包装数量 | 包装形态 | RoHS |
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| BD3538HFN-TR | 供应中 | HSON8 | 3000 | 3000 | Taping | Yes |
BD3538HFN 数据手册 Data Sheet
技术特性| Grade | Standard | | ch | 1 | | Vin(Min.)[V] | 2.7 | | Vin(Max.)[V] | 5.5 | | Vin 2ch[V] | 1.0 to 5.5 | | Iout(Max.)[A] | 1.0 | | Circuit Current[mA] | 2.0 | | Thermal Shut-down | Yes | | Under Voltage Lock Out | Yes | | Operating Temperature (Min.)[°C] | -40 | | Operating Temperature (Max.)[°C] | 105 |
| 技术资料下载产品特点- Incorporates a push-pull power supply for termination (VTT)
- Incorporates a reference voltage circuit (VREF)
- Incorporates an enabler
- Incorporates an undervoltage lockout (UVLO)
- Incorporates a thermal shutdown protector (TSD)
- Compatible with Dual Channel (DDR-II)
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