4V Drive Pch+Pch MOSFET QS8J4 _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

4V Drive Pch+Pch MOSFET QS8J4

电界效果晶体管MOSFET。复合两颗Pch MOSFET。提供通过采用细微流程的「超低阻值的设备」而在广泛领域得以应用的功率MOSFET，并且结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。

型号	Status	封装	包装数量	最小独立包装数量	包装形态	RoHS
QS8J4TR	供应中	TSMT8	3000	3000	Taping	Yes

QS8J4 数据手册 Data Sheet

技术特性

Grade	Standard
Package Code	TSMT8
Package Size[mm]	3.0x2.8(t=0.8)
Number of terminal	8
Polarity	Pch+Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]	-30
Drain Current ID[A]	-4.0
RDS(on)[Ω] VGS=4V (Typ.)	0.06
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.)	0.055
RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.)	0.04
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)	0.06
Total gate charge Qg[nC]	8.4
Power Dissipation (PD)[W]	1.5
Drive Voltage[V]	-4.0
Mounting Style	Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]	-55
Storage Temperature (Max.)[°C]	150

应用领域

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引脚配置图

QS8J4

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QS8J4 QS8J4

DTA113ZCAHZG DTA113ZCAHZG

DTA114TCAHZG DTA114TCAHZG

DTA114YCAHZG DTA114YCAHZG

Spice Model (lib) QS8J4

Thermal Model (lib) QS8J4

Package Information VT6M1

Taping Specifications VT6M1

Condition Of Soldering VT6M1

Storage Conditions VT6M1

Reliability Information RQ1E070RP

Operation Notes VT6M1

Operation Notes VT6M1

Part Explanation VT6M1

NE Handbook Series TT8J21

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