4.5V驱动型 Nch MOSFET RQ3E120GN
场效应晶体管MOSFET。通过采用微细工艺的“超低导通电阻元件”，为用户提供应用广泛的功率MOSFET。根据用途备有小型、大功率、复合化的丰富产品阵容，可满足多样的市场需求。
| 型号 | Status | 封装 | 包装数量 | 最小独立包装数量 | 包装形态 | RoHS |
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| RQ3E120GNTB | 供应中 | HSMT8 | 3000 | 3000 | Taping | Yes |
RQ3E120GN 数据手册 Data Sheet
技术特性| Grade | Standard | | Package Code | HSMT8(3.3x3.3) | | Package Size[mm] | 3.3x3.3(t=0.8) | | Number of terminal | 8 | | Polarity | Nch | | Drain-Source Voltage VDSS[V] | 30 | | Drain Current ID[A] | 27.0 | | RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.) | 0.0091 | | RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.) | 0.0067 | | RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) | 0.0091 | | Total gate charge Qg[nC] | 4.8 | | Power Dissipation (PD)[W] | 15.0 | | Drive Voltage[V] | 4.5 | | Mounting Style | Surface mount | | Storage Temperature (Min.)[°C] | -55 | | Storage Temperature (Max.)[°C] | 150 |
应用领域- 漏电断路器
- PPC (Plain Paper Copier)
- 太阳能发电逆变器
- 网络电脑
- Machine Vision Camera for Industrial
- 家庭影院
- 超声波诊断设备（便携式）
- LED 照明
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